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掩膜的制备以及对掩膜的要求
光刻掩模的基本原理是图形区和非图形区对光线的吸收和透射能力不同。通过曝光成像的原理,将掩膜上的图形转移到基片光胶上。
对掩模的要求
掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大
掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少
掩模的图形精度要高
掩模
制备
通常的用于微电子行业的掩膜材料有镀铬玻璃板或镀铬石英板,在其表面涂上体层光敏感的光胶。在利用计算机软件绘制图形,再图形发生器进行光刻,便在掩膜材料上得到图形。
TSP Sheet Exposure System
标签:  
制备
 
光刻
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更新时间:2014-08-11 13:24:56 【
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